ITO靶材通过磁控溅射制备ITO薄膜，广泛应用于太阳能、LCD、TP,TFT液晶市场等领域

烧结法是世界上主流的ITO靶材生产方式，

常压烧结是当前日本ITO靶材烧结的主流技术

采用烧结法生产ITO靶材的公司有许多 ，高端TFT-LCD用ITO靶材均来自日本的东曹、日立、日矿金属JX，住友、日本能源、三井金属、韩国三星康宁、韩国ANP等公司

ITO靶一般主要性能及参数

成份: In2O3:SnO2=90/10(wt%) 其他比例以客户要求为准

相对密度: ≥99.5%（理论密度7.15g/cm3)

纯度: 99.99%

尺寸规格:依据客户要求为准

高性能ITO靶材主要技术特性有:

1)纯度:其纯度达到99.99%以上,主要杂质元素Cu、Fe、Pb、Si、Ni分别小于10 ppm,

总杂质含量不超过100 ppm。

2)相对密度:相对密度要求在99.5%以上,密度均匀度偏差≤0.15%。

3)组织均匀性:SnO2固熔到In2O3中形成单一的In2O3相,

Sn在靶中均匀分布,晶粒细微均匀。

4)电阻率小于0.14mΩ·㎝。

5)抗折强度:≥120MPa。